SiC器件SiC單晶襯底制造以4英寸為主流，并正向6英寸過渡，同時8英寸也已經(jīng)問世。產(chǎn)品主要以電力電子器件為主，SiC-SBD（肖特基二極管）技術(shù)成熟，已開始在光伏發(fā)電等領(lǐng)域替代Si器件，SiC-MOSFET性能突出，可大幅降低模組中電容電感的用量，降低功率模組成本。SiC-IGBT未來將憑借其優(yōu)異的性能在大型輪船引擎、智能電網(wǎng)、高鐵和風(fēng)力發(fā)電等大功率領(lǐng)域得到應(yīng)用。

　　2015年，全球SiC電力電子器件市場規(guī)模達(dá)到近1.5億美元，預(yù)計2020年將達(dá)到10億美元。SiC襯底的主要供應(yīng)商有科銳、Rohm/SiCrystal和II-VI等，其中科銳公司占據(jù)了SiC襯底90%的供應(yīng)量。SiC器件市場，科銳和英飛凌/IR兩家巨頭占據(jù)了70%的市場份額。SiC電力電子器件在低電壓產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)⒚鎸aN器件的激烈競爭，在PFC、UPS、消費電子和電動汽車等900V以下的應(yīng)用領(lǐng)域，低成本的GaN器件將占據(jù)主要市場，SiC器件未來主要面向1200V以上的市場。

　　我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨重大機遇

　　《中國制造2025》為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供政策支持。2015年5月，國務(wù)院發(fā)布《中國制造2025》。新材料在《〈中國制造2025〉重點領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中是十大重點領(lǐng)域之一，其中化合物半導(dǎo)體中的第三代半導(dǎo)體被納入關(guān)鍵戰(zhàn)略材料發(fā)展重點。

　　集成電路高速發(fā)展為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支撐。我國集成電路正處于大發(fā)展時期，可為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供先進(jìn)技術(shù)支撐。如GaAs或GaN單片微波集成電路的設(shè)計和仿真技術(shù)、化合物半導(dǎo)體制造工藝和生產(chǎn)線的建設(shè)技術(shù)、先進(jìn)封裝和測試技術(shù)、光刻機和CVD等通用設(shè)備的制造技術(shù)、以及大尺寸硅單晶襯底和光刻膠等通用配套材料的制備技術(shù)。

　　重點應(yīng)用領(lǐng)域和國產(chǎn)化替代需求為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供巨大市場。我國的光伏、風(fēng)能、4G/5G移動通信、高速鐵路、電動汽車、智能電網(wǎng)、大數(shù)據(jù)/云計算中心、半導(dǎo)體照明等產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼，是化合物半導(dǎo)體大顯身手的應(yīng)用領(lǐng)域，如4G/5G通信基站和終端使用的GaAs或GaN微波射頻器件和模塊，高速鐵路使用的SiC基牽引傳動系統(tǒng)，光伏電站、風(fēng)能電場和電動汽車使用的GaN或SiC電能逆變器或轉(zhuǎn)換器，智能電網(wǎng)使用的SiC大功率開關(guān)器件，工業(yè)控制使用的GaN或SiC基電機馬達(dá)變頻驅(qū)動器，大數(shù)據(jù)/云計算中心使用的GaN或SiC基高效供電電源，半導(dǎo)體照明中使用的GaN基高亮度LED等。