化合物半導(dǎo)體是區(qū)別于硅（Si）和鍺（Ge）等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類(lèi)半導(dǎo)體材料，主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等。相對(duì)于硅材料，化合物半導(dǎo)體性能更加優(yōu)異，制作出的器件相對(duì)于硅器件具有更優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征。

　　當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國(guó)應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。

　　化合物半導(dǎo)體成為集成電路產(chǎn)業(yè)新關(guān)注點(diǎn)

　　集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革驅(qū)動(dòng)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展。一是集成電路產(chǎn)業(yè)遵循“摩爾定律”演進(jìn)趨緩，以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。二是曾經(jīng)驅(qū)動(dòng)集成電路市場(chǎng)高速增長(zhǎng)的PC和智能手機(jī)市場(chǎng)疲軟，未來(lái)5G和物聯(lián)網(wǎng)將成為新風(fēng)口。三是全球能源和環(huán)境危機(jī)突出，能源利用趨向低功耗和精細(xì)管理�；衔锇雽�(dǎo)體作為新材料和新器件，在微波通信器件、光電子器件和功率電感器件中有著同類(lèi)硅器件所不具備的優(yōu)異性能，將在以上應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

　　國(guó)內(nèi)外圍繞化合物半導(dǎo)體的并購(gòu)案頻發(fā)。近年來(lái)，國(guó)際巨頭企業(yè)紛紛圍繞化合物半導(dǎo)體展開(kāi)并購(gòu)，2014年8月，功率半導(dǎo)體德國(guó)英飛凌公司以30億美元收購(gòu)美國(guó)國(guó)際整流器公司（IR），取得了其硅基GaN功率半導(dǎo)體制造技術(shù)；同年9月，設(shè)計(jì)和制造GaAs和GaN射頻芯片的RFMD公司和TriQuint公司宣布合并為新的RF解決方案公司Qorvo。國(guó)內(nèi)企業(yè)和資本也圍繞化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展開(kāi)收購(gòu)。

　　國(guó)家“大基金”投資三安光電布局化合物半導(dǎo)體。2015年6月，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（“大基金”）投資48.39億元入股三安光電，推動(dòng)三安光電下屬三安集成電路公司圍繞GaAs和GaN代工制造，開(kāi)展境內(nèi)外并購(gòu)、新技術(shù)研發(fā)、新建生產(chǎn)線(xiàn)等業(yè)務(wù)。同時(shí)，國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行也以?xún)?yōu)惠利率向三安提供200億元貸款。

　　2016年2月，泉州市政府、“大基金”、華芯投資、三安集團(tuán)等在晉江市合資成立安芯基金，基金目標(biāo)規(guī)模500億元，首期出資規(guī)模75.1億元，將主要投向III-V族化合物集成電路產(chǎn)業(yè)。

　　全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)空間廣闊

　　GaAs器件GaAs微波通信器件在移動(dòng)終端的無(wú)線(xiàn)PA和射頻開(kāi)關(guān)器領(lǐng)域占主導(dǎo)地位，未來(lái)高集成度和低成本制造將成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，在無(wú)線(xiàn)通信、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。同時(shí)，GaAs基材料有望在集成電路10nm以下制程以及未來(lái)的光互連芯片中得到應(yīng)用。

　　2015年全球GaAs微波通信器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到86億美元，超過(guò)60%的市場(chǎng)份額集中于Skyworks、Qorvo、Broadcom/Avago三大巨頭，2020年，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將突破130億美元。GaAs產(chǎn)業(yè)代工制造模式逐漸興起，我國(guó)臺(tái)灣穩(wěn)懋、宏捷、環(huán)宇是主要的代工企業(yè)。

　　GaN器件基于GaN的藍(lán)綠光LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展成熟，微波通信器件和電力電子器件產(chǎn)品尚未在民用領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。藍(lán)寶石基GaN技術(shù)成熟，Si基GaN可實(shí)現(xiàn)高集成性和低成本，目前Si基GaN技術(shù)以6英寸為主流。

　　全球GaN微波通信器件和電力電子器件的產(chǎn)值還很低，只有幾億美元，隨著技術(shù)水平的進(jìn)步，2020年產(chǎn)值有望達(dá)到15億美元。英飛凌、富士、東芝、松下等大企業(yè)紛紛投巨資進(jìn)軍GaN領(lǐng)域。新進(jìn)入的小企業(yè)也有很多，如加拿大的GaNSystems、美國(guó)的EPC等公司都已經(jīng)量產(chǎn)GaN產(chǎn)品。未來(lái)在新能源、智能電網(wǎng)、信息通信設(shè)備和消費(fèi)電子領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。

　　SiC器件SiC單晶襯底制造以4英寸為主流，并正向6英寸過(guò)渡，同時(shí)8英寸也已經(jīng)問(wèn)世。產(chǎn)品主要以電力電子器件為主，SiC-SBD（肖特基二極管）技術(shù)成熟，已開(kāi)始在光伏發(fā)電等領(lǐng)域替代Si器件，SiC-MOSFET性能突出，可大幅降低模組中電容電感的用量，降低功率模組成本。SiC-IGBT未來(lái)將憑借其優(yōu)異的性能在大型輪船引擎、智能電網(wǎng)、高鐵和風(fēng)力發(fā)電等大功率領(lǐng)域得到應(yīng)用。

　　2015年，全球SiC電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到近1.5億美元，預(yù)計(jì)2020年將達(dá)到10億美元。SiC襯底的主要供應(yīng)商有科銳、Rohm/SiCrystal和II-VI等，其中科銳公司占據(jù)了SiC襯底90%的供應(yīng)量。SiC器件市場(chǎng)，科銳和英飛凌/IR兩家巨頭占據(jù)了70%的市場(chǎng)份額。SiC電力電子器件在低電壓產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)⒚鎸?duì)GaN器件的激烈競(jìng)爭(zhēng)，在PFC、UPS、消費(fèi)電子和電動(dòng)汽車(chē)等900V以下的應(yīng)用領(lǐng)域，低成本的GaN器件將占據(jù)主要市場(chǎng)，SiC器件未來(lái)主要面向1200V以上的市場(chǎng)。