隨著功率半導(dǎo)體器件在移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、新能源交通、發(fā)電與配電領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用，“中國智造”時(shí)代的來臨給功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇和增長動(dòng)力。氮化鎵、碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、IGBT、射頻通訊等新技術(shù)都將推動(dòng)應(yīng)用市場的快速發(fā)展。

　　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁張乃千在“用于4G基站GaN功率放大器”的演講中表示，未來移動(dòng)通信對(duì)于基站而言，需要的頻率更高，更寬的帶寬，更高效率的功率放大器。由于出色的物理特性，氮化鉀射頻設(shè)備在功率放大器展示出了出色的特質(zhì)，尤其是在變頻啟動(dòng)到3.5GHZ。氮化鉀主要用在高功率的場合，由于功率密度比較高，每個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)產(chǎn)生熱阻，所以散熱是一個(gè)很復(fù)雜的問題，很多同仁也在不斷的付出努力解決。氮化鉀行業(yè)目前已經(jīng)開始用于移動(dòng)基站的功率放大器上。他相信未來經(jīng)過大家的共同努力，氮化鉀技術(shù)會(huì)變得越來越成熟。

　　Skyworks 高級(jí)技術(shù)總監(jiān)David在“Front End Power Management for the Next Generation”的演講中表示，不斷進(jìn)化的單元系統(tǒng)正在驅(qū)動(dòng)帶寬更寬，提升波峰因素以及高平均功率。APT和ET架構(gòu)在一個(gè)廣泛的平均功率上提供了提高系統(tǒng)效率的方法。復(fù)雜的ET系統(tǒng)需要重要配置以及刻度要求。聯(lián)合設(shè)計(jì)的功率管理和PA系統(tǒng)在優(yōu)化性能上遠(yuǎn)超ET的效率。

　　廈門市三安光電科技有限公司研發(fā)副總裁黃博在“三安集成電路砷化鎵與氮化鎵代工技術(shù)”的演講中，介紹了三安光電在砷化鎵與氮化鎵的技術(shù)以及實(shí)現(xiàn)方式，同時(shí)對(duì)砷化鎵與氮化鎵的市場進(jìn)行了分析。

　　Veeco Somit Joshi在“用于提高功率器件性能的硅基氮化鎵MOCVD進(jìn)展”的演講中表示，新興的中/高電壓應(yīng)用在電力供應(yīng)，替代能源以及數(shù)據(jù)中心，都需要更高的功率效率，滿足較高的工作溫度以及更小的系統(tǒng)規(guī)模。氮化硅在這些參數(shù)上遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于硅。隨著MOCVD外延生長GaN材料在硅襯底的發(fā)展，硅在經(jīng)濟(jì)上可行的替代方案已經(jīng)出現(xiàn)。為了滿足系統(tǒng)的產(chǎn)量水平，可靠性和成本目標(biāo)，行業(yè)需要MOCVD工藝支持優(yōu)異的膜均勻性、運(yùn)行控制、雜質(zhì)控制、低缺陷、高正常運(yùn)行時(shí)間的特性。他指出，針對(duì)這些要求，Veeco公司已經(jīng)開發(fā)出下一代的MOCVD系統(tǒng)基于單芯片架構(gòu)，具有業(yè)界領(lǐng)先的性能在多個(gè)站點(diǎn)。

　　英飛凌科技香港有限公司工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國偉的演講標(biāo)題為“高功率 IGBT的技術(shù)前沿 : 高溫、高密度、便擴(kuò)容”，他表示，在可再生能源、牽引及輸配電等應(yīng)用中，不斷提高的功率需求一直在推動(dòng)高功率半導(dǎo)體，特別是IGBT的大電流規(guī)格及電流密度技術(shù)極限，突破芯片電流密度及封裝電流規(guī)格需要在 IGBT芯片及封裝技術(shù)兩方面的創(chuàng)新。同時(shí)，他介紹了數(shù)項(xiàng)高功率 IGBT芯片及封裝技術(shù)的新創(chuàng)新。使用 IGBT5芯片及.XT封裝技術(shù)讓 IGBT模塊可以在 Tvjop為 175oC中可靠地工作，或令工作壽命提高十倍。二極管可控逆導(dǎo)型 IGBT (RCDC) 技術(shù)讓 IGBT及二極管的功能可在單芯片上集成，令芯片電流密度提升 33%。后，以標(biāo)準(zhǔn)化 XHP封裝作簡便的模塊并聯(lián)，讓模塊的電流規(guī)格得到簡便擴(kuò)容。

　　中國中車株洲南車時(shí)代副總經(jīng)理劉國友的演講標(biāo)題為“功率半導(dǎo)體技術(shù)助力中國高鐵的快速發(fā)展”他表示，中國幾十年的軌道交通的發(fā)展中，功率半導(dǎo)體對(duì)其產(chǎn)生巨大的作用。中國的軌道交通是一個(gè)很復(fù)雜的系統(tǒng)，需要適應(yīng)氣溫，潮濕，高壓等環(huán)境。對(duì)于IGBT的可靠性，功率密度性都有著很高的要求。軌道交通核心的是IGBT這樣的全控性功率器件。同時(shí)他表示，目前中車的IGBT產(chǎn)品在智能電網(wǎng)，軌道交通等領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用。目前正在研發(fā)銅金屬化芯片的全銅工藝IGBT模塊，開發(fā)智能IGBT將溫度傳感器和電流傳感器集成到IGBT上等。中國作為高鐵發(fā)展的強(qiáng)國，目前中國半導(dǎo)體的發(fā)展可以完成一帶一路的需求。

　　ABB 瑞士-半導(dǎo)體高級(jí)銷售經(jīng)理陳馬看在“面向大功率低損耗應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的發(fā)展及趨勢”的演講中表示，HVDC和可再生能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體不斷提出更高的要求。一方面器件需要有更高的可靠性和魯棒性以確保系統(tǒng)不間斷工作，另一方面它們應(yīng)該能以低損耗處理更大電流并以高可控性實(shí)現(xiàn)簡單的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。4500V / 3000A StakPak 壓接式IGBT 新產(chǎn)品的在柔直和直流斷路器中的應(yīng)用擁有很大的潛力。同時(shí)他介紹了LinPak一種低電感易于實(shí)現(xiàn)無降額并聯(lián)的全新IGBT 模塊平臺(tái)。并表示，SiC是一個(gè)穩(wěn)定的項(xiàng)目，IGBT和SiC會(huì)有很多的潛能。