簡(jiǎn)化廠商成本和柵極驅(qū)動(dòng)要求的努力不斷推進(jìn)，客戶希望在其應(yīng)用中降低并聯(lián)的IGBT和二極管的數(shù)量，因此要求大面積芯片的解決方案。由于新的IGBT和二極管技術(shù)是基于超薄芯片技術(shù)，當(dāng)你從超級(jí)TO-247這樣的傳統(tǒng)分立式封裝中搬出，構(gòu)建、處理基至是測(cè)試這樣的半導(dǎo)體元件就會(huì)充滿挑戰(zhàn)�；谶@種原因，可以容納大的IGBT和二極管芯片的分立式封裝價(jià)值巨大，它們都完全經(jīng)過(guò)測(cè)試并且易于安裝。CooliRDIE就是正在開(kāi)發(fā)的解決方案這一。DBC封裝的殼內(nèi)包括一個(gè)680V, 300A IGBT和一個(gè)二極管對(duì)，每個(gè)芯片都具有可焊接前端金屬表面處理。

　　整個(gè)無(wú)鉛CooliRDIE都是完全的動(dòng)態(tài)供應(yīng)并經(jīng)過(guò)靜態(tài)測(cè)試，達(dá)到其卷帶封裝上的額定電流。這就使得客戶能夠采用一處標(biāo)準(zhǔn)的選擇并將機(jī)器安置到已經(jīng)準(zhǔn)備好的帶焊盤(pán)準(zhǔn)的基座上，處理300A的超薄IGBT和二極管產(chǎn)品。這一部件回流到基底，取代了與大功率模塊相關(guān)的線步驟。省去引線鍵合，提高了可靠性和良率，并且降低了成本、寄生電阻和功率電感。這些器件可采用兩種版本(正裝和倒裝芯片)，可以在一個(gè)單獨(dú)的基底上形成非常緊湊的半橋布局，無(wú)需復(fù)雜的布局模式，事實(shí)上，封裝兩端上的電子連接甚至還可以允許封裝用作總線，可以使用一些能夠快速升級(jí)的創(chuàng)新型的逆變器布局。

　　將可焊接前端金屬增加到硅片上，意味著芯片可以在兩面進(jìn)行焊接，因此去除了對(duì)于焊線的需求。這同樣還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，釋放出了傳統(tǒng)用于焊線的芯片頂部空間--而現(xiàn)在這種空間可用于冷卻。通過(guò)從兩面對(duì)部件進(jìn)行制冷的性能，可以將電流處理性能提升50%--或者確實(shí)降低相似工作點(diǎn)上的芯片尺寸，并進(jìn)而降低成本。如果無(wú)需雙面制冷，那么僅僅的增加一個(gè)頂端的散熱量就可以證明其在提高組裝的散熱性能方面非常有效，進(jìn)而可以幫助提升短時(shí)間峰值電流能力。

　　省去焊線不僅可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)并提高冷卻，同時(shí)還可以增強(qiáng)電子性能。采用CooliRDIE封裝的600A半橋模塊已經(jīng)構(gòu)建起來(lái)，展示了低于12nH的回路電感，允許器件可以更快地開(kāi)關(guān)，限制了電壓擊穿并提高了效率。終，像這種無(wú)焊線封裝概念具有極低的封裝電阻--大概比傳統(tǒng)的焊線組裝低出0.5mΩ。在一個(gè)大的電源系統(tǒng)上，如(H)EV的主逆變器上，半毫歐看起來(lái)像一個(gè)無(wú)關(guān)僅要的小數(shù)據(jù)，但事實(shí)上卻并非如此。由于所涉及的電流非常高，因此，在400A的電流下，節(jié)省0.5mΩ的電阻可以減少80W無(wú)用功耗。在電阻中的這種節(jié)省是提高效率的一個(gè)積極步驟，并終提升了汽車(chē)運(yùn)行里程。

　　聯(lián)系電話梁生