對于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過標準I-V和C-V測試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點，對于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路，以及模擬/數(shù)�；旌想娐分械钠骷�，這方面的挑戰(zhàn)也在增加。

　　減少使用RF技術(shù)的建議是在以下特定的假設下提出來： 假設RF技術(shù)不能有效地應用，尤其是在生產(chǎn)的環(huán)境下，這在過去的確一直是這種情況。

　　但是，現(xiàn)在新的參數(shù)測試系統(tǒng)能夠快速、準確、可重復地提取RF參數(shù)，幾乎和DC測試一樣容易。重要的是，通過自動校準、去除處理(de- embedding)以及根據(jù)待測器件(DUT)特性進行參數(shù)提取，探針接觸特性的自動調(diào)整，已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)RF的完整測試。這方面的發(fā)展使得不必需要RF 專家來保證得到好的測試結(jié)果。在生產(chǎn)實驗室，根據(jù)中間測試結(jié)果或者操作需要，自動探針臺和測試控制儀能夠完成過去需要人為干涉的事情。世界范圍內(nèi)，已經(jīng)有 7家半導體公司驗證了這種用于晶圓RF生產(chǎn)測試的系統(tǒng)。

　　RF測試的應用

　　無論你是利用III-V簇晶圓生產(chǎn)用于手機配件的RF芯片，還是利用硅技術(shù)生產(chǎn)高性能模擬電路，在研發(fā)和生產(chǎn)中預測終產(chǎn)品的性能和可靠性，都 需要晶圓級RF散射參數(shù)(s)的測量。這些測試對DC數(shù)據(jù)是重要的補充，相對于單純的DC測試，它用更少的測試卻能提供明顯更多的信息。實際上，一個兩通 道的s參數(shù)掃描能同時提取阻抗和電容參數(shù)，而采用常規(guī)DC方法，則需要分開測試，甚至需要單獨的結(jié)構(gòu)以分離工藝控制需要的信息。

　　功放RF芯片的功能測試是這種性能的另外一種應用。這些器件非常復雜，然而價格波動大。生產(chǎn)中高頻低壓的測試條件排除了通常阻礙晶圓級測試的功 耗問題。也不存在次品器件昂貴的封裝費用。已知良品芯片技術(shù)也可以應用于晶圓級測試中，它能夠明顯改進使用RF芯片的模塊的良率。

　　芯片制造商也可以利用晶圓級RF測試來提取各種高性能模擬和無線電路的品質(zhì)因數(shù)。比如電感濾波器、混頻器以及振蕩器。SoC(System-on-chip)器件制造商希望這種子電路測試技術(shù)能夠降低總體的測試成本。

　　130nm節(jié)點以下的高性能邏輯器件中，表征薄SiO2和高介電常數(shù)(high-k)柵介質(zhì)的等效氧化層厚度(EOT)非常關鍵。RF測試在介 電層的建模方面扮演了重要角色，它能夠去除掉寄生元件，而這種寄生效應在傳統(tǒng)的二元模型中將阻礙C-V數(shù)據(jù)的正確表示。中高頻 (MFCV, HFCV) 電容測量技術(shù)不可能因為儀器而對測試引入串聯(lián)阻抗。

　　聯(lián)系電話梁生