數(shù)字供電采用的排感

　　數(shù)字排感同樣是數(shù)字供電一個(gè)非常明顯的特征。常見的模擬供電，都采用了單個(gè)封裝的電感，體積比較大，占用PCB面積比較大。而這款顯卡采用的數(shù)字供電排感CPL-4-50，卻有點(diǎn)象多個(gè)功率電感“集成”到一起，體積更小。不僅僅如此，數(shù)字供電采用的排感在性能方面也更出色。以工作頻率為例子，普通的模擬供電采用的電感工作頻率一般為300KHz，而數(shù)字排感工作頻率可以達(dá)到1MHz.并且，數(shù)字排感的內(nèi)阻更低，這樣一來，電感導(dǎo)致的熱損耗也更小，數(shù)字供電轉(zhuǎn)換效率也更高。

　　后，我們來小結(jié)一下數(shù)字供電的特點(diǎn)：

　　1.體積小，數(shù)字MOSFET、DRIVER CSP封裝，體積小，數(shù)字排感體積小，PCB面積也可以更小。

　　2.供電更，數(shù)字供電GPU峰值電壓僅140mV，模擬供電GPU峰值電壓達(dá)300 mV.

　　3.數(shù)字供電轉(zhuǎn)換效率更高，模擬供電通常轉(zhuǎn)換效率在70-80%，數(shù)字供電轉(zhuǎn)換效率90%左右。

　　4.數(shù)字供電電流更大，模擬供電每相通常極限為30A，數(shù)字供電每相極限可達(dá)40A.

　　5.數(shù)字供電更耐高溫，CSP封裝MOSFET工作溫度上限為200度，而模擬供電采用的MOSFET工作溫度上限為100度左右。

　　6.數(shù)字供電工作頻率更高，數(shù)字供電MOSFET工作頻率達(dá)800KHz，模擬供電常采用的MOSFET工作頻率僅300KHz;數(shù)字供電排感工作頻達(dá)1MHz，模擬供電常采用的電感工作頻率僅300KHz.

　　7.數(shù)字供電內(nèi)阻更小，數(shù)字供電采用排感內(nèi)阻要小于模擬供電常采用的電感。

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