數(shù)字供電和常見的模擬供電不同，前者采用了數(shù)字PWM，體積更小的整合了數(shù)字MOSFET和DRIVER的芯片，以及體積更小的數(shù)字排感，搭配多個(gè)MLCC;而模擬供電不同，采用傳統(tǒng)的PWM芯片，每相搭配2-4個(gè)體積比較大的MOSFET，每相搭配一個(gè)獨(dú)立的功率電感，而且會搭配容量比較大的電容。所以從外觀上，我們很容易分辨數(shù)字供電和模擬供電。

　　可看出影馳這款顯卡采用了數(shù)字PWM VT1165MF，體積非常小、整合MOSFET和DRIVER的CSP封裝VOLTERRA公司的VT1195SF MULTIPHASE電源芯片，以及CPL-4-50數(shù)字排感和MLCC，顯然這是典型的數(shù)字供電。不過數(shù)字供電的意義不僅僅在于“體積”，更在于性能。

　　數(shù)字供電采用的PWM IC

　　顯卡采用的PWM芯片為VT1165MF，在NVIDIA旗艦顯卡上很常見，可以輕松搞定數(shù)百瓦功耗的顯卡。通過VT1165MF組成的數(shù)字供電，轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)高于模擬供電普遍保持的70-80%，而達(dá)到了90%.不僅僅如此，由它組成的數(shù)字供電還更為，GPU電壓峰值幅度僅140mV，而模擬供電GPU電壓峰值幅度卻有300mV.更的供電有利于保證GPU穩(wěn)定工作，超頻也更容易達(dá)到極限，壽命也更長。

　　數(shù)字供電采用的MOSFET

　　上面我們已經(jīng)談到數(shù)字供電和模擬供電明顯的特征之一，那就是MOSFET和DRIVER.這款數(shù)字供電顯卡采用了VT1195SF，內(nèi)部整合了MOSFET和DRIVER.相比模擬供電常采用的工作頻率在300KHz的MOSFET，數(shù)字供電MOSFET工作頻率非常高，達(dá)到了800KHz.更高的開關(guān)頻率，使得數(shù)字供電瞬態(tài)性能更佳，功耗更低，轉(zhuǎn)換效率更高。同時(shí)，數(shù)字供電可以驅(qū)動(dòng)的電流每相可以達(dá)到40A，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了模擬供電普遍30A的極限。結(jié)合這款顯卡4相數(shù)字供電設(shè)計(jì)來看，它可以提供電流達(dá)160A，這樣大的電流也更適合超頻。

　　不僅僅如此，數(shù)字供電的MOSFET可以承受的溫度更高，可以適應(yīng)更惡略的工作環(huán)境。普通模擬供電采用的MOSFET，盡管獨(dú)立設(shè)計(jì)，相對散熱更好一些，但是它們高能承受的溫度只有100度左右。而上面的數(shù)字MOSFET高承受的溫度可達(dá)200度。這樣一來，數(shù)字供電應(yīng)用范圍也更廣。拋開成本來看，數(shù)字MOSFET件前景更光明。

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