在去年的閃存峰會上東芝發(fā)布了XL-FLASH，這是一種用于低延遲SLC3DNAND閃存，是用來與三星Z-NAND及英特爾3DXPoint競爭的產(chǎn)品。當時提供的細節(jié)很少，而現(xiàn)在東芝已經(jīng)公布了更多細節(jié)，包括將其推向市場的時間表：下個月開始抽樣，明年開始批量生產(chǎn)。 批XL-FLASH部件將使用128Gb裸片，結構上可以分為16層，以支持比現(xiàn)有的面向容量的3DNAND部件更高程度的并行性，頁面大小為4KB，明顯小于大多數(shù)3DNAND的容量來得小，再加上XL-FLASH每個單元只存儲一位而不是三位或四位，因此我們預計它會比主流多層NAND的容量要小得多。
性能方面，由于采用了不同的結構，東芝表示讀取延遲將小于5微秒，相比之下，他們的3DTLC約為50微秒。東芝的XL-FLASH和三星的Z-NAND之間明顯的差異可能終形成不同的市場取向，三星將自己的Z-NAND用于自己的Z-SSD產(chǎn)品，但東芝的XL-FLASH將與3DTLC和QLCNAND一樣銷售。我們已經(jīng)從一些SSD控制器供應商處聽說他們計劃在他們即將推出的控制器中支持XL-FLASH，當XL-FLASH開始進入市場時，SSD品牌應該會迅速跟進。
