電感在射頻單片集成電路中具有重要作用，主要具備阻抗轉(zhuǎn)換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的迅速發(fā)展，電子產(chǎn)品越來(lái)越向高速化、微型化，便攜化方向發(fā)展。由于無(wú)源電感占據(jù)了射頻集成電路大部分的芯片面積，所以如何減小片上無(wú)源電感的面積成為現(xiàn)在人們亟待解決的難題。研究得比較多的集成電感的主要是金屬互連線(xiàn)功率電感，但其具有占有芯片面積大、品質(zhì)因數(shù)Q低等缺點(diǎn)。因此，采用占面積小的有源電感代替無(wú)源電感，是滿(mǎn)足射頻單片集成電路的途徑之一。 在低頻電路中，通常有源電感由跨導(dǎo)運(yùn)算放大器、電阻以及電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。但是由于運(yùn)放在高頻下不具備較高的增益，因此，不適宜在高頻下應(yīng)用。 在射頻電路中，必須采用其他的有源器件來(lái)構(gòu)成有源電感。雖然可使用GaAs工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)有源電感 ，但是由于其造價(jià)比較昂貴，不適合大規(guī)模的生產(chǎn)。SiGe技術(shù)具有與成熟的Si工藝兼容，芯片的成本具有較好的競(jìng)爭(zhēng)力，已經(jīng)漸漸成為設(shè)計(jì)射頻單片集成電路的主流。 本文采用兩個(gè)晶體管構(gòu)成回轉(zhuǎn)器，利用晶體管內(nèi)部本征電容合成電感。設(shè)計(jì)了采用不同組態(tài)的四種有源電感電路結(jié)構(gòu)，并就其中一個(gè)性能較好的電路做了詳細(xì)的討論。后采用Jazz 0. 35 μm SiGeBiCMOS工藝，用射頻仿真軟件ADS進(jìn)行了驗(yàn)證。 本設(shè)計(jì)與無(wú)源電感相比能極大地減少芯片面積、節(jié)約成本，對(duì)于射頻集成電路具有很高的應(yīng)用價(jià)值。公司網(wǎng)站：聯(lián)系電話(huà)梁生