M57959L/M57962L厚膜驅動電路

　　M57959L/M57962L厚膜驅動電路采用雙電源（+15V，- 10V）供電，輸出負偏壓為-10V，輸入輸出電平與TTL電平兼容，配有短 路/過載保護和 封閉性短路保護功能，同時具有延時保護特性。其分別適合于驅動1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其 以下的 IGBT.M57959L/M57962L在驅動中小功率的IGBT時，驅動效果和各項性能表現(xiàn)優(yōu)良，但當其工作在高頻下時，其脈沖前后沿變的較差，即信 號的大傳輸寬度受到限制。且厚膜內部采用印刷電路板設計，散熱不是很好，容易因過熱造成內部器件的燒毀。

　　日本三菱公司的M57959L集成IGBT專用驅動芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅動。其高頻率也達40KHz，采用雙電源 供電（+15V和-15V）輸出電流峰值為±2A，M57959L有以下特點：

　�。�1） 采用光耦實現(xiàn)電器隔離，光耦是快速型的，適合20KHz左右的高頻開關運行，光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻，可將5V電壓直接加到輸入 側。

　�。�2） 如果采用雙電源驅動技術，輸出負柵壓比較高，電源電壓的極限值為+18V/-15V，一般取+15V/-10V。

　�。�3） 信號傳輸延遲時間短，低電平-高電平的傳輸延時以及高電平-低電平的傳輸延時時間都在1.5μs以下。

　�。�4） 具有過流保護功能。M57962L通過檢測IGBT的飽和壓降來判斷IGBT是否過流，一旦過流，M57962L就會將對IGBT實施軟關斷，并輸出過功率電感流故障信號。

　�。�5） M57959的內部結構如圖所示，這一電路的驅動部分與EXB系列相仿，但是過流保護方面有所不同。過流檢測仍采用電壓采樣，電路特 點是采用柵壓緩降，實現(xiàn)IGBT軟關斷。

　　避免了關斷中過電壓和大電流沖擊，另外，在關斷過程中，輸入控制信號的狀態(tài)失去作用，既保護關斷是在封閉狀態(tài)中完成的。當保護開始時，立即送出故障信號，目的是切斷控制信號，包括電路中其它有源器件。

　　SD315A集成驅動模塊

　　集成驅動模塊采用+15V單電源供電，內部集成有過流保護電路，其大的特點是具 有安全性、智能性與易用性。2SD315A能輸出很大的峰 值電流（大瞬時輸出電流可達±15A），具有很強的驅動能力和很高的隔離電壓能力（4000V）。2SD315A具有兩個驅動輸出通道，適合于驅 動等級為1200V/1700V極其以上的兩個單管或一個半橋式的雙單元大功率IGBT模塊。其中在作為半橋驅動器使用的時候，可以很方便地 設置死區(qū)時間。

　　2SD315A內部主要有三大功能模塊構成，分別是LDI（Logic To Driver Interface，邏輯驅動轉換接口）、IGD（Intelligent Gate Driver，智能門極驅動）和輸入與輸出相互絕緣的DC/DC轉換器。當外部輸入PWM信號后，由LDI進行編碼處理，為保證信號不受外界條件的 干擾，處理過的信號在進入IGD前需用高頻隔離變壓器進行電氣隔離。從隔離變壓器另一側 接收到的信號首先在IGD單元進行解碼，并把解碼后的PWM信號進行放大（±15V/±15A）以驅動外接大功率IGBT。當智能門極驅動單元IGD內的 過流和短路保護電路檢測到IGBT發(fā)生過流和短路故障時，由封鎖時間邏輯電路和狀態(tài)確認電路產生相應的響應時間和封鎖時間，并把此時的狀態(tài)信號進行編碼送 到邏輯控制單元LDI。LDI單元對傳送來的IGBT工作狀態(tài)信號進行解碼處理，使之在控制回路中得以處理。為防止2SD315A的兩路輸出驅動信號相互 干擾，由DC/DC轉換器提供彼此隔離的電源供電。

　　2SD315使用時注意事項：

　　a、工作模式

　　驅動模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源，輸入引腳RC1和RC2接地，為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V，信號輸入管腳InA、 InB連 接在一起接收來自單片機的脈沖信號。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳輸出通道的工作狀態(tài)。當MOD接地時，MOD接地。通常半橋模式都是驅動一個 直流母線上的一個橋臂，為避免上下橋臂直通必須設置死區(qū)時間，在死區(qū)時間里兩個 管子同時關斷。因此，RC 1、RC2端子必須根據(jù)要求外接RC網(wǎng)絡來產生死區(qū)時間，死區(qū)時間一般可以從100n，到幾個ms。圖中所示的RC 1、 RC2分別連接lOk.的電阻和100pF的電容，這樣產生的死區(qū)時間大約是500ns.