設(shè)計(jì)人員必須滿足汽車應(yīng)用的許多電磁兼容性（EMC）要求，并且為電源選擇正確的開關(guān)頻率（fsw）對(duì)滿足這些要求至關(guān)重要。大多數(shù)設(shè)計(jì)人員在中波AM廣播頻帶外（通常為400kHz或2MHz）選擇開關(guān)頻率，其中必須限制電磁干擾（EMI）。2MHz選項(xiàng)是理想選擇。因此，在此文中，當(dāng)嘗試使用TI新型TPS54116-Q1 DDR內(nèi)存電源解決方案作為示例在2MHz條件下操作時(shí)，我將提供一些關(guān)鍵考慮因素。

　　2MHz開關(guān)頻率條件下工作時(shí)的個(gè)也是重要的考慮因素是轉(zhuǎn)換器的小接通時(shí)間。在降壓轉(zhuǎn)換器中，當(dāng)高側(cè)MOSFET導(dǎo)通時(shí)，它在關(guān)閉前必須保持小的導(dǎo)通時(shí)間。通過峰值電流模式控制，小導(dǎo)通時(shí)間通常受電流檢測(cè)信號(hào)的消隱時(shí)間限制。轉(zhuǎn)換器的高小導(dǎo)通時(shí)間通常發(fā)生在小負(fù)載條件下，對(duì)此有三個(gè)原因。

　　較重負(fù)載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時(shí)間。

　　開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間和下降時(shí)間。死區(qū)時(shí)間期間（從低側(cè)MOSFET關(guān)斷到高側(cè)MOSFET導(dǎo)通的時(shí)間，及高側(cè)MOSFET關(guān)斷和低側(cè)MOSFET導(dǎo)通之間的時(shí)間），通過電感的電流對(duì)開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的任意寄生電容進(jìn)行充放電。輕負(fù)載條件下，電感器中的電流較少，因此電容充放電速度更緩慢，導(dǎo)致開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的上升和下降時(shí)間較長(zhǎng)。上升和下降時(shí)間較長(zhǎng)使得開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的有效脈沖寬度增加。

　　低到高的死區(qū)時(shí)間。當(dāng)?shù)蛡?cè)MOSFET關(guān)斷且高側(cè)MOSFET再次導(dǎo)通之前，通過電感器的電流對(duì)開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓進(jìn)行充電，直到高側(cè)MOSFET的體二極管鉗位開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓。結(jié)果，死區(qū)時(shí)間的低側(cè)MOSFET關(guān)斷到高側(cè)MOSFET期間，開關(guān)節(jié)點(diǎn)為高。由于開關(guān)節(jié)點(diǎn)在該時(shí)間段為高，因此低到高的死區(qū)時(shí)間增加了有效小脈沖寬度。在圖1中，您可看到，雖然導(dǎo)通時(shí)間相同，但脈沖寬度更大。

　　圖1：滿載和無負(fù)載時(shí)的脈沖寬度

　　試圖在2MHz條件下工作時(shí)的第二個(gè)考慮因素是小輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）的轉(zhuǎn)換比。這與轉(zhuǎn)換器的小接通時(shí)間有關(guān)，因?yàn)樵摫嚷试谵D(zhuǎn)換器需要操作時(shí)設(shè)定接通時(shí)間。例如，若轉(zhuǎn)換器具有100ns的小導(dǎo)通時(shí)間且在2MHz條件下工作，則使用公式1，其可以支持的小轉(zhuǎn)換比（Dmin）為20％。若給定的VIN至VOUT比所需的導(dǎo)通時(shí)間小于小導(dǎo)通時(shí)間，則多數(shù)轉(zhuǎn)換器進(jìn)入脈沖跨越模式以保持輸出電壓穩(wěn)定。當(dāng)脈沖跨越時(shí)，開關(guān)頻率發(fā)生變化且可能在需要限制噪聲的頻率中引起噪聲。