1.前言

　　過去的幾十年，業(yè)界圍繞CMOS架構(gòu)視覺傳感器理論進行了大量廣泛的研究和探討，旨在于在成像早期階段處理圖像，從場景中提取重要的特征，如果換作其它方式達到同樣目的，例如，使用普通計算技術(shù)，則需要為此花費昂貴的成本。在這個方面，運動偵測是重要的圖像特征之一，是多個復(fù)雜視覺任務(wù)的基礎(chǔ)。本文重點介紹時間對比概念，這個概念在很多應(yīng)用中特別重要，包括交通監(jiān)控、人體運動拍照和視頻監(jiān)視。這些應(yīng)用要求圖像偵測并可靠，形狀偵測準(zhǔn)確，變化反應(yīng)及時。此外，運動檢測還必須靈活地適應(yīng)不同的工作場景和光強條件。背景提取是目前被認(rèn)可的運動偵測方法。背景提取就是生成一個背景估算值，然后逐幀更新。分析運動類型，并將其與場景中特定對象關(guān)聯(lián)，以便進行更高級別的處理，在這個過程中，光強變化無疑是幫助我們發(fā)現(xiàn)運動的個線索。因為可能會在某一時間點意外偵測到所有像素的變化，其中包括光線、陰影、噪聲引起的變化，相對于過去，像素變化過快時，應(yīng)該考慮的潛在變化。因此，應(yīng)該在像素級實現(xiàn)一種低通存儲器，跟蹤像素對比變化，并在像素行為變化時發(fā)出報警。

　　本文介紹如何利用憶阻器實現(xiàn)上述算法。在上個世紀(jì)70年代，蔡少棠教授從理論上預(yù)言存在一種叫做憶阻器的無源器件，2008年惠普實驗室演示了這種無源器件的物理模型，顧名義，憶阻器是一種可變電阻器，其導(dǎo)通狀態(tài)能夠記憶以前流經(jīng)憶阻器的電流歷史。

　　 本文主要內(nèi)容如下：下一章介紹與輸入偏壓有關(guān)的憶阻器行為，特別是基于脈沖的編程，這是本文的研究基礎(chǔ)。第三章介紹像素工作原理，第四章重點介紹像素實現(xiàn)。第五章介紹仿真結(jié)果，第六章是結(jié)論。

　　 II.憶阻器行為

　　如前文所述，憶阻器可以視為一個時間可變的電阻器，電阻值取決于以前流經(jīng)憶阻器的電流值。

　　圖1：憶阻器和簡化等效電路圖。圖a:TiO2憶阻器結(jié)構(gòu)；圖b:等效電阻器電路

　　提出的憶阻器概念的是蔡少棠教授，在推理無源電路理論的等式對稱性依據(jù)時，他認(rèn)為憶阻器是電阻器、電容器、電感器之外的第四個基礎(chǔ)無源器件。在發(fā)現(xiàn)憶阻器物理模型后，很多人想利用憶阻器令人興奮的記憶特性開發(fā)模擬集成電路。惠普實驗室開發(fā)的物理模型基于TiO2的兩個區(qū)：一個高電阻的非摻雜區(qū)和一個有高導(dǎo)電氧空穴TiO2-x的摻雜區(qū), 這兩個區(qū)夾在兩個金屬電極板的中間，如圖1a所示。當(dāng)向憶阻器施加外部偏壓時，摻雜層和非摻雜層之間的邊界就會移動，位移是所施加的電流或電壓的函數(shù)，因此，帶電荷的摻雜區(qū)的漂移導(dǎo)致兩個電極之間電阻變化。對于簡單的電阻導(dǎo)電情況，下面等式定義了電壓電流關(guān)系：

　　其中，RON 是摻雜原子濃度高的半導(dǎo)體薄膜的高導(dǎo)電區(qū)的電阻；ROFF是高電阻非摻雜區(qū)的電阻；D是憶阻器的長度；狀態(tài)變量w(t)是摻雜比，u是摻雜遷移率。等式(2)積分運算得出w(t)公式：

　　將（3）代入（1），取得憶阻值。

　　若RON≤ROFF，憶阻值可用下面等式表達：

　　利用參考文獻取得與上面等式相關(guān)的參數(shù)，使用Verilog-A語言開發(fā)一個憶阻器行為模型，通過電路仿真，使用下列參數(shù)驗證該模型：RON = 200Ω, ROFF =200KΩ, u2= 10-10cm2S-1V-1, D = 10nm。只要系統(tǒng)在M? (RON , ROFF )邊界內(nèi)，憶阻器就會表現(xiàn)出對稱行為。當(dāng)觸達任何一個邊界時，憶阻器將會像線性電阻一樣動作，將邊界電阻保持到輸入極性變反為止。圖2所示是典型的憶阻特性曲線，憶阻器這些有趣行為共同構(gòu)成憶阻器或各類憶阻性設(shè)備的基本特征，圖2a是施加電壓及相應(yīng)電流對時間t的曲線。圖2b所示是電流-電壓特性曲線。從圖中不難看出，當(dāng)w≤w0時，滯后出現(xiàn)，當(dāng)w?w0時，滯后縮短。圖2c是憶阻器在不平衡輸入信號條件下的行為曲線，我們觀察到，在前三個周期內(nèi)，w(t)值逐漸升高，這是在一定時間內(nèi)凈電荷量累加的結(jié)果。在連續(xù)施加三個周期的極性相反的信號后，w(t)降至初始狀態(tài)�？傊�，如圖2a和2b所示，任何對稱交流偏壓都會導(dǎo)致雙環(huán)電流-電壓滯后現(xiàn)象，高頻時下降至一條直線。此外，對于偏壓出現(xiàn)的任何非對稱，如圖2c和2d所示，我們觀察到一個多環(huán)電流電壓滯后，隨著電流升高，多環(huán)電流電壓滯后更加明顯。

　　圖2：電壓驅(qū)動式憶阻器的行為仿真結(jié)果。在圖a中，施加的對稱輸入電壓（紅色）和相應(yīng)電流（藍色）是時間的函數(shù)。圖b是對稱輸入電流-電壓特性曲線。下降線對應(yīng)曲度更高的曲線。在圖c中，非對稱輸入施加電壓（紅色）和相應(yīng)電流（綠色）是時間的函數(shù)。圖d是非對稱輸入電流-電壓特性曲線。圖a中的施加電壓是±v0 sin(w0t)，而圖c中的施加電壓是±v0 sin2(w0t), 其中w0 = 2?f0 = 2?u2/D2。

　　憶阻器初始電阻通常很大，施加極性相反的連續(xù)或脈沖電壓可使電阻線性降至一個低電阻的谷底，如圖3所示。施加極性相反的電壓可使憶阻器恢復(fù)初始高電阻，恢復(fù)時間通常比直接恢復(fù)方法短很多。在圖3中，憶阻器的初始電阻值很高，向憶阻器施加一序列占空比可控的脈沖頻率wp=5w0、電流幅度ip = 160uA的電流脈沖，以此可以向憶阻器寫入數(shù)據(jù)。占空比越高，流經(jīng)憶阻器的電荷量就越大，導(dǎo)電速度也就越快。憶阻器具有脈沖式非線性編程功能，用光頻率轉(zhuǎn)換器作為編程信號源，用與光強成正比的電流脈沖驅(qū)動憶阻器，可實現(xiàn)光阻(L2R)編碼。如圖6的像素架構(gòu)示意圖所示。除其獨特的非線性編程外，憶阻器還可視為兼有電容器的存儲效應(yīng)與電阻器的無漏電性。所有這些，結(jié)合其小尺度和易實現(xiàn)性，使其成為一個有趣的模擬信號處理應(yīng)用元器件，不過，本文只討論如何在緊湊的像素內(nèi)使用憶阻器執(zhí)行背景提取功能。