6．超大功率晶閘管

　　晶閘管（SCR）自問(wèn)世以來(lái)，其功率容量提高了近3000倍。現(xiàn)在許多國(guó)家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV / 4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV / 4kA和6kV / 6kA的光觸發(fā)晶閘管（LTT）。美國(guó)和歐洲主要生產(chǎn)電觸發(fā)晶閘管。近十幾年來(lái)，由于自關(guān)斷器件的飛速發(fā)展，晶閘管的應(yīng)用領(lǐng)域有所縮小，但是，由于它的高電壓、大電流特性，它在HVDC、靜止無(wú)功補(bǔ)償（SVC）、大功率直流電源及超大功率和高壓變頻調(diào)速應(yīng)用方面仍占有十分重要的地位。預(yù)計(jì)在今后若干年內(nèi)，晶閘管仍將在高電壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)合得到繼續(xù)發(fā)展。

　　現(xiàn)在，許多生產(chǎn)商可提供額定開(kāi)關(guān)功率36MVA （ 6kV/ 6kA ）用的高壓大電流GTO。傳統(tǒng)GTO的典型的關(guān)斷增量?jī)H為3～5。GTO關(guān)斷期間的不均勻性引起的“擠流效應(yīng)”使其在關(guān)斷期間dv/dt必須限制在 500～1kV/μs。為此，人們不得不使用體積大、昂貴的吸收電路。另外它的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路較復(fù)雜和要求較大的驅(qū)動(dòng)功率。到目前為止， 在高壓（VBR 》 3.3kV ）、大功率（0.5～20 MVA）牽引、工業(yè)和電力逆變器中應(yīng)用得為普遍的是門(mén)控功率半導(dǎo)體器件。目前，GTO的高研究水平為6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。為了滿(mǎn)足電力系統(tǒng)對(duì)1GVA以上的三相逆變功率電壓源的需要，近期很有可能開(kāi)發(fā)出10kA/12kV的GTO，并有可能解決 30多個(gè)高壓GTO串聯(lián)的技術(shù)，可望使電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用方面再上一個(gè)臺(tái)階。

　　7.脈沖功率閉合開(kāi)關(guān)晶閘管

　　該器件特別適用于傳送極強(qiáng)的峰值功率（數(shù)MW）、極短的持續(xù)時(shí)間（數(shù)ns）的放電閉合開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合，如：激光器、高強(qiáng)度照明、放電點(diǎn)火、電磁發(fā)射器和雷達(dá)調(diào)制器等。該器件能在數(shù)kV的高壓下快速開(kāi)通，不需要放電電極，具有很長(zhǎng)的使用壽命，體積小、價(jià)格比較低，可望取代目前尚在應(yīng)用的高壓離子閘流管、引燃管、火花間隙開(kāi)關(guān)或真空開(kāi)關(guān)等。

　　該器件獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和工藝特點(diǎn)是：門(mén)-陰極周界很長(zhǎng)并形成高度交織的結(jié)構(gòu)，門(mén)極面積占芯片總面積的 90%，而陰極面積僅占10%；基區(qū)空穴-電子壽命很長(zhǎng)，門(mén)-陰極之間的水平距離小于一個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度。上述兩個(gè)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)確保了該器件在開(kāi)通瞬間，陰極面積能得到的應(yīng)用。此外，該器件的陰極電極采用較厚的金屬層，可承受瞬時(shí)峰值電流。

　　8.新型GTO器件-集成門(mén)極換流晶閘管

　　當(dāng)前已有兩種常規(guī)GTO的替代品：高功率的IGBT模塊、新型GTO派生器件-集成門(mén)極換流IGCT晶閘管。IGCT晶閘管是一種新型的大功率器件，與常規(guī) GTO晶閘管相比，它具有許多優(yōu)良的特性，例如，不用緩沖電路能實(shí)現(xiàn)可靠關(guān)斷、存貯時(shí)間短、開(kāi)通能力強(qiáng)、關(guān)斷門(mén)極電荷少和應(yīng)用系統(tǒng)（包括所有器件和外圍部件如陽(yáng)極電抗器和緩沖電容器等）總的功率損耗低等。

　　9．高功率溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT（Trench IGBT）模塊

　　當(dāng)今高功率IGBT模塊中的IGBT元胞通常多采用溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT。與平面柵結(jié)構(gòu)相比，溝槽柵結(jié)構(gòu)通常采用1μm加工精度，從而大大提高了元胞密度。由于門(mén)極溝的存在，消除了平面柵結(jié)構(gòu)器件中存在的相鄰元胞之間形成的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管效應(yīng)，同時(shí)引入了一定的電子注入效應(yīng)，使得導(dǎo)通電阻下降。為增加長(zhǎng)基區(qū)厚度、提高器件耐壓創(chuàng)造了條件。所以近幾年來(lái)出現(xiàn)的高耐壓大電流IGBT器件均采用這種結(jié)構(gòu)。

　　1996年日本三菱和日立公司分別研制成功3.3kV/1.2kA 巨大容量的IGBT模塊。它們與常規(guī)的GTO相比，開(kāi)關(guān)時(shí)間縮短了20%，柵極驅(qū)動(dòng)功率僅為GTO的1/1000。1997年富士電機(jī)研制成功1kA /2.5kV平板型IGBT，由于集電、發(fā)射結(jié)采用了與GTO類(lèi)似的平板壓接結(jié)構(gòu)，采用更高效的芯片兩端散熱方式。特別有意義的是，避免了大電流IGBT 模塊內(nèi)部大量的電極引出線(xiàn)，提高了可靠性和減小了引線(xiàn)電感，缺點(diǎn)是芯片面積利用率下降。所以這種平板壓接結(jié)構(gòu)的高壓大電流IGBT模塊也可望成為高功率高電壓變流器的優(yōu)選功率器件。

　　10.電子注入增強(qiáng)柵晶體管IEGT（Injection Enhanced Gate Trangistor）

　　近年來(lái)，日本東芝公司開(kāi)發(fā)了IEGT，與IGBT一樣，它也分平面柵和溝槽柵兩種結(jié)構(gòu)，前者的產(chǎn)品即將問(wèn)世，后者尚在研制中。IEGT兼有IGBT和GTO 兩者的某些優(yōu)點(diǎn)：低的飽和壓降，寬的安全工作區(qū)（吸收回路容量?jī)H為GTO的1/10左右），低的柵極驅(qū)動(dòng)功率（比GTO低2個(gè)數(shù)量級(jí)）和較高的工作頻率。加之該器件采用了平板壓接式電極引出結(jié)構(gòu)，可望有較高的可靠性。

　　與IGBT相比，IEGT結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)是柵極長(zhǎng)度Lg較長(zhǎng)，N長(zhǎng)基區(qū)近柵極側(cè)的橫向電阻值較高，因此從集電極注入N長(zhǎng)基區(qū)的空穴，不像在IGBT中那樣，順利地橫向通過(guò)P區(qū)流入發(fā)射極，而是在該區(qū)域形成一層空穴積累層。為了保持該區(qū)域的電中性，發(fā)射極必須通過(guò)N溝道向N長(zhǎng)基區(qū)注入大量的電子。這樣就使N長(zhǎng)基區(qū)發(fā)射極側(cè)也形成了高濃度載流子積累，在N長(zhǎng)基區(qū)中形成與GTO中類(lèi)似的載流子分布，從而較好地解決了大電流、高耐壓的矛盾。目前該器件已達(dá)到4.5kV /1kA的水平。

　　11.MOS門(mén)控晶閘管

　　MOS 門(mén)極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開(kāi)通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動(dòng)態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來(lái)在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開(kāi)展對(duì)MCT的研究。 MOS門(mén)控晶閘管主要有三種結(jié)構(gòu)：MOS場(chǎng)控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管（BRT）及射極開(kāi)關(guān)晶閘管（EST）。其中EST可能是 MOS門(mén)控晶閘管中有希望的一種結(jié)構(gòu)。但是，這種器件要真正成為商業(yè)化的實(shí)用器件，達(dá)到取代GTO的水平，還需要相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間。

　　12.砷化鎵二極管

　　隨著變換器開(kāi)關(guān)頻率的不斷提高，對(duì)快恢復(fù)二極管的要求也隨之提高。眾所周知，具有比硅二極管優(yōu)越的高頻開(kāi)關(guān)特性，但是由于工藝技術(shù)等方面的原因，砷化鎵二極管的耐壓較低，實(shí)際應(yīng)用受到局限。為適應(yīng)高壓、高速、高效率和低EMI應(yīng)用需要，高壓砷化鎵高頻整流二極管已在Motorola 公司研制成功。與硅快恢復(fù)二極管相比，這種新型二極管的顯著特點(diǎn)是：反向漏電流隨溫度變化小、開(kāi)關(guān)損耗低、反向恢復(fù)特性好。

　　13.碳化硅與碳化硅（SiC ）功率器件

　　在用新型半導(dǎo)體材料制成的功率器件中，有希望的是碳化硅 （ SiC ） 功率器件。它的性能指標(biāo)比砷化鎵器件還要高一個(gè)數(shù)量級(jí)，碳化硅與其他半導(dǎo)體材料相比，具有下列優(yōu)異的物理特點(diǎn)： 高的禁帶寬度，高的飽和電子漂移速度，高的擊穿強(qiáng)度，低的介電常數(shù)和高的熱導(dǎo)率。上述這些優(yōu)異的物理特性，決定了碳化硅在高溫、高頻率、高功率的應(yīng)用場(chǎng)合是極為理想的半導(dǎo)體材料。在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的 SiC場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器件的開(kāi)關(guān)時(shí)間可達(dá)10nS量級(jí)，并具有十分優(yōu)越的 FBSOA。

　　SiC 可以用來(lái)制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。SiC高頻功率電感器件已在Motorola公司研發(fā)成功，并應(yīng)用于微波和射頻裝置。GE公司正在開(kāi)發(fā)SiC功率器件和高溫器件（包括用于噴氣式引擎的傳感器）。西屋公司已經(jīng)制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻的MESFET。ABB公司正在研制高功率、高電壓的SiC整流器和其他SiC低頻功率器件，用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。