三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的PCIMAsia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場，向公眾展示其在功率半導(dǎo)體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。 今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。

　　 變頻家電市場

　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機這次在去年推介的SLIMDIP模塊的基礎(chǔ)上，開展出SLIMDIP-L和SLIMDIP-S兩款產(chǎn)品，SLIMDIP-L用于變頻洗衣機和變頻空調(diào)，而SLIMDIP-S用于變頻冰箱和變頻風(fēng)機控制。

　　兩款SLIMDIP均采用RC-IGBT芯片，實現(xiàn)更高的集成度；封裝面積比超小型DIPIPM縮小達30%；內(nèi)置自舉二極管和限流電阻；大運行殼溫提升至115℃；并集成短路保護和欠壓保護，同時提供溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本供選擇。

　　SLIMDIP模塊

　　 軌道牽引及電動汽車驅(qū)動市場

　　在PCIM亞洲展2016上，三菱電機為軌道牽引和電力傳輸，以及電動汽車領(lǐng)域，帶來三款功率模塊，分別為X系列的單管及雙管HVIGBT模塊，適合牽引變流器及直流輸電應(yīng)用；而J1系列汽車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅(qū)動器，及高可靠性逆變器。

　　亮相展會的X系列雙管HVIGBT模塊，采用CSTBT結(jié)構(gòu)的第7代IGBT和RFC二極管，降低功率損耗；運用可降低內(nèi)部電感的封裝技術(shù)，優(yōu)化產(chǎn)品性能；使用兩種封裝(LV100/HV100)，實現(xiàn)兩種絕緣耐壓(6kV/10kV)，但兩者具有相同的外形尺寸。LV100封裝包括900A/1.7kV和450A/3.3kV；HV100封裝包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV；可提高系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計的靈活性，方便實現(xiàn)逆變器擴容。

　　LV100封裝(6kV絕緣耐壓)

　　HV100封裝(10kV絕緣耐壓)

　　至于X系列單管HVIGBT模塊，采用第7代IGBT和RFCDiode硅片技術(shù)，實現(xiàn)更低飽和壓降和開關(guān)損耗；使用LNFLR技術(shù)實現(xiàn)低熱阻；允許高運行結(jié)溫150℃；安全工作區(qū)(SOA)裕度大，續(xù)流恢復(fù)能力強；封裝兼容傳統(tǒng)的H系列HVIGBT；標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品包括1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV；此外，還有業(yè)界規(guī)格大，針對電力傳輸應(yīng)用而開發(fā)的6500V/1000A單管HVIGBT。

　　X系列單管HVIGBT模塊

　　J1系列汽車用IGBT模塊是專為電動汽車驅(qū)動器，及高可靠性逆變器設(shè)計，采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊。它使用第7代IGBT硅片技術(shù)，損耗更低；高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術(shù)；及基于硅片的溫度和電流檢測技術(shù)。J1系列提供A、B兩種封裝。A型封裝(小封裝)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V；B型封裝(大封裝)有1000A/650V和600A/1200V，這兩種封裝可以滿足從小型電動汽車到大型電動公交車的應(yīng)用要求。

　　針對J1系列新型汽車模塊，三菱電機將提供包括驅(qū)動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術(shù)支持，以方便客戶快速應(yīng)用該模塊實現(xiàn)汽車用逆變器的設(shè)計。