分析交流耦合電容的SMT焊盤效應(yīng)

　　在EMPro中建立一個具有中等損耗基板的SMT的3D模型，其中一對微帶差分走線長2英寸、寬5mil，采用單端模式，與其參考平面距離3.5mil，這對走線從30mil寬SMT焊盤的一端進入，并從另一端引出。

　　圖4和圖5分別顯示了仿真得到的TDR和插損圖。參考平面沒有裁剪的SMT設(shè)計造成的阻抗失配是12Ω，插損在20GHz時為-6.5dB。一旦對SMT焊盤下方的參考平面區(qū)域進行了裁剪(其中"d "設(shè)為10mil)，失配阻抗就可以減小到2Ω，20GHz時的插損減小到-3dB。進一步增加"d "會導(dǎo)致條狀電感超過電容，從而引起電感不連續(xù)性，轉(zhuǎn)而使插損變差(即-4.5dB)。

　　分析B2B連接器的SMT焊盤效應(yīng)

　　在EMPro中建立一個B2B連接器的SMT焊盤的3D模型，其中連接器引腳間距是20mil，引腳寬度是6mil，焊盤連接到一對長5英寸、寬5mil，采用單端模式的微帶差分走線，走線距其參考平面3.5mil。SMT焊盤的厚度是40mil，包括連接器引腳和焊錫在內(nèi)的這個厚度幾乎是微帶PCB走線厚度的40倍。

　　銅厚度的增加將導(dǎo)致電容的不連續(xù)性和更高的信號衰減。這種現(xiàn)象可以分別由圖6和圖7所示的TDR和插損仿真圖中看出來。通過裁剪掉SMT焊盤正下方適當(dāng)間距"d "(即7mil)的銅區(qū)域，可以大限度地減小阻抗失配。