選擇像MOSFET這樣的主動(dòng)限制裝置需要一個(gè)勵(lì)磁涌流限制控制器的控制電路，它也被稱(chēng)為熱插拔控制器或電子熔絲。這是一個(gè)位于升壓控制器之前的附加集成電路 (IC)，很多此類(lèi)的控制器（圖3）特有包含電流和電壓環(huán)路的可編程涌入限制，旨在確保MOSFET保持在安全工組區(qū) (SOA) 內(nèi)的同時(shí)，控制涌入率。SOA用于監(jiān)視維持關(guān)鍵保護(hù)器件的長(zhǎng)期可靠性。此外，涌入控制器會(huì)具有兩個(gè)電流閥值：一個(gè)用于規(guī)范涌入限制，第二個(gè)是在嚴(yán)重過(guò)流情況下用于完成斷路器功能。這種方式的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)就是你能夠?qū)崿F(xiàn)它的先進(jìn)保護(hù)特性；然而，通常來(lái)說(shuō)，這個(gè)解決方案的成本和復(fù)雜度要高于無(wú)源方法。
第三個(gè)保護(hù)選項(xiàng)是一個(gè)具有集成涌入限制控制的升壓控制器。這個(gè)方法仍然需要將一個(gè)附加的MOSFET用作保護(hù)器件，因?yàn)樯龎旱脑ㄒ粋�(gè)續(xù)流二極管或同步MOSFET）無(wú)法反向。然而，如圖4所示，與熱插拔控制器方法相比，將升壓和保護(hù)控制集成在一個(gè)IC中有助于降低解決方案復(fù)雜度和尺寸，同時(shí)也提供了很多其它保護(hù)特性。
為壞的情況選擇MOSFET
為確保實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健耐用的解決方案，任何的限制方法都需要縝密的設(shè)計(jì)，對(duì)于功率耗散器件更是如此。當(dāng)使用一個(gè)MOSFET時(shí)，一定要注意器件的安全工作區(qū)，設(shè)定電流是其中一個(gè)需要考慮的參數(shù)。在進(jìn)行MOSFET選型時(shí)，需要考慮切斷電壓（漏/源電壓）的峰值，以及它將處于極端組合條件下的時(shí)間長(zhǎng)度。
根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要，通過(guò)計(jì)算保護(hù)器件在涌入、輸出短路和突然電路斷開(kāi)情況下，在保護(hù)器件上出現(xiàn)的峰值能量，下面的方程式將有助于選擇一個(gè)具有足夠雪崩能量額定值的MOSFET。
針對(duì)涌入考慮的充電能量為：
在這里
EINRUSH = 以焦耳 (J) 為單位的輸出電容器充電能量。
COUT = 以法拉 (F) 為單位的大輸出電容值。
VINMAX = 以伏特 (V) 為單位的大輸入電源電壓。
雖然在差的情況下輸出電容器充電電流與出現(xiàn)短路時(shí)的情況相類(lèi)似，MOSFET真正的短路故障情況的要求會(huì)更加嚴(yán)格。MOSFET能夠耐受的短路能量取決于：
在這里：
ESHORT = 以焦耳 (J) 為單位的短路保護(hù)能量。
IINRUSH(TH) = 以安培 (A) 為單位的勵(lì)磁涌流限制閥值。
tDELAY = 以秒 (s) 為單位的延遲時(shí)間。
所選保護(hù)控制器也許具有一個(gè)故障安全斷路器的電流閥，從而觸發(fā)瞬時(shí)輸入斷開(kāi)。斷路器的能量計(jì)算與短路情況下相類(lèi)似，不過(guò)，保護(hù)控制器會(huì)設(shè)定一個(gè)不同的電流閥值。MOSFET上有可能出現(xiàn)的差情況能量由控制器的響應(yīng)或延遲時(shí)間計(jì)算得出。
在這里：
ECIRCUIT_BREAKER = 以焦耳 (J) 為單位的斷路器保護(hù)能量
ICIRCUIT_BREAKER(TH) = 以安培 (A) 為單位的斷路器閥值電流
需牢記的一點(diǎn)是，雖然將MOSFET用于保護(hù)功能可實(shí)現(xiàn)對(duì)涌入或故障情況的快速響應(yīng)，但是你應(yīng)該在MOSFET的輸出端上執(zhí)行一個(gè)適當(dāng)?shù)碾妷壕彌_，以確保用于保護(hù)功能的器件不會(huì)使下游電路出現(xiàn)問(wèn)題。在升壓電路中，保護(hù)器件之后出現(xiàn)的個(gè)直插式組件是原邊電感器。續(xù)流二極管可以管理保護(hù)MOSFET與電感器之間的任何電壓振鈴，它只有在保護(hù)開(kāi)關(guān)迅速關(guān)閉時(shí)才會(huì)導(dǎo)電，特別是在斷路器位于電感器左側(cè)時(shí)（圖5）。
其它保護(hù)特性
在選擇一個(gè)保護(hù)控制器時(shí)，你也許還需要考慮另外一個(gè)特性，那就是重試定時(shí)器，也被稱(chēng)為打嗝模式。如果設(shè)備經(jīng)歷了一個(gè)間斷過(guò)流故障能夠自動(dòng)重試，且無(wú)需整個(gè)系統(tǒng)重新啟動(dòng)的話，這對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)是有好處的。該模式能使保護(hù)控制器打開(kāi)MOSFET，并且在特定的時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)等待故障被消除，然后通過(guò)初始化涌入控制序列來(lái)重試。如果故障仍然存在，控制器也許會(huì)無(wú)限次的重試，或者在特定的重試次數(shù)后鎖存。
將一個(gè)MOSFET用作保護(hù)器件的第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的輸入過(guò)壓保護(hù)電路 (/)。通過(guò)將一個(gè)合適的齊納二極管連接至MOSFET的柵極，F(xiàn)ET的柵源電壓受到二極管的鉗制后，會(huì)使得MOSFET在源極電壓增加時(shí)被拉回至歐姆運(yùn)行方式。這個(gè)二極管的擊穿電壓設(shè)定了有效的輸出電壓鉗位值。當(dāng)MOSFET在歐姆區(qū)域內(nèi)運(yùn)行時(shí)會(huì)作為一個(gè)線性穩(wěn)壓器，不過(guò)有一點(diǎn)需要注意，那就是大允許鉗制時(shí)間將受到MOSFET屬性的限制。
