2． EMI噪聲源

　　三端雙向晶閘管的驅(qū)動方法雖然有多種，但是，行業(yè)法規(guī)要求在取暖應(yīng)用中必須使用電隔離控制電路。如圖1所示，兩個雙向晶閘管沒有共用同一個參考電壓，這就是設(shè)計師期待使用光耦或脈沖變壓器設(shè)計控制電路的原因。兩個電路的工作方式不同，所產(chǎn)生的電磁干擾噪聲也不盡相同。

　　圖2所示是一個光耦雙向晶閘管驅(qū)動電路。當光耦雙向晶閘管激活時（即當微控制器的I/O引腳置高電平時），通過電阻R1施加雙向晶閘管柵電流。電阻R2連接在雙向晶閘管柵極G和接線端子A1之間，用于阻止每當施加瞬變電壓時光耦雙向晶閘管電容器產(chǎn)生的電流。每當電流過零時，該控制電路都會產(chǎn)生一個尖峰電壓，即使在光耦雙向晶閘管內(nèi)置電壓過零電路，仍就會產(chǎn)生尖峰電壓。

　　事實上，在一個光耦雙向晶閘管驅(qū)動電路內(nèi)，要想施加?xùn)艠O電流，雙向晶閘管A1和接線端子A2之間必須存在電壓。雙向晶閘管導(dǎo)通壓降接近1V或1.5V，然而低于光耦雙向晶閘管和G-A1結(jié)的電壓降之和（兩個電路的電壓降都高于1V），所以還不足以驅(qū)動電流經(jīng)過柵極。每當負載電流為零時，因為沒有電流施加到柵級，所以雙向晶閘管關(guān)斷。

　　在雙向晶閘管關(guān)斷后，線路電壓回加到接線端子上，使電壓VTPeak升高，升幅足以使在柵極施加的電流達到雙向晶閘管的額定柵極電流IGT。在圖2所示的T2550-12G雙向晶閘管（25 A，1200 V，50 mA IGT）測試中，該電壓的大值電壓為7.5 V （在變成負電壓過程中）。假設(shè)光耦雙向晶閘管和G-A1結(jié)的典型電壓降分別為1.1 V和0.8 V，電阻R1為200 Ohm，這個電壓值將會產(chǎn)生28 mA的柵電流，這正是我們所用樣片在第3象限導(dǎo)通所需的IGT 電流（負VT電壓和負柵電流）。

　　如果樣片的IGT 值接近大額定值（50 mA），VTPeak 電壓值可能會更高，因為IGT隨著結(jié)溫降低而升高，所以，如果結(jié)溫降低，VTPeak 電壓值也可能會提高。

　　因為VTPeak電壓的出現(xiàn)頻率是線路頻率的2倍（如果交流電頻率50 Hz，VTPeak電壓出現(xiàn)頻率是100 Hz），使得繼電器的EMI噪聲輻射超出EN 55014-1家電和電動工具電磁干擾輻射標準規(guī)定的上限。需要說明的是，這一噪聲只有當雙向晶閘管導(dǎo)通時才會出現(xiàn)。只要繼電器將光耦電路旁通，該噪聲也就自動消失。這種斷續(xù)騷擾是否適用EN 55014-1標準規(guī)定，取決于斷續(xù)騷擾的重復(fù)率（或喀嚦聲），即混合式繼電器工作頻率和騷擾時長。

　　為避免這些尖峰電壓，在脈沖變壓器和光耦雙向晶閘管中，應(yīng)優(yōu)選脈沖變壓器。增加一個整流器全橋和一個電容器，以修平變壓器二次側(cè)整流電壓，這種方法可讓直流驅(qū)動雙向晶閘管柵極。因此，電流每次過零時都不會再有尖峰電壓發(fā)生。但是，在導(dǎo)通過程中，從機電式繼電器切換到雙向晶閘管時，仍然有騷擾噪聲出現(xiàn)，不過，這種切換好在只發(fā)生在在混合繼電器關(guān)斷過程中。圖3所示是切換期間發(fā)生的尖峰電壓。這個尖峰電壓恰好發(fā)生在雙向晶閘管導(dǎo)通時，也就是整個負載電流從繼電器突然轉(zhuǎn)移到雙向晶閘管期間。

　　圖3.b所示是流經(jīng)雙向晶閘管的電流的放大圖。電流上升速率dIT/t接近8 A/μs。如果雙向晶閘管被觸發(fā)但沒有導(dǎo)通（整個電流仍然流經(jīng)機電繼電器），當電流開始流動時，硅襯底的電阻率很高，這會產(chǎn)生很高的峰值電壓，在使用T2550-12G進行的試驗中，這個峰值電壓為11.6 V

　　在雙向晶閘管導(dǎo)通后，晶閘管硅結(jié)構(gòu)的頂部和底部P-N結(jié)將向襯底注入少數(shù)載流子，在注入過程中，襯底電阻率降低，通態(tài)電壓降至大約1-1.5 V。

　　這個現(xiàn)象與PIN二極管上出現(xiàn)峰值電壓降和導(dǎo)通時出現(xiàn)高電流上升速率是同一現(xiàn)象，這也是PIN二極管數(shù)據(jù)手冊提供VFP 峰壓的原因。該參數(shù)大小取決于所施加的電壓上升速率dI/dt，如果頻率很高，則峰壓值將影響應(yīng)用能效。對于混合式繼電器應(yīng)用，該VFP 電壓只在混合繼電器關(guān)斷時才會出現(xiàn)，當評測功率損耗時無需考慮這個參數(shù)。

　　還應(yīng)指出的是，因為導(dǎo)致VFP現(xiàn)象的原因是注入少數(shù)載流子調(diào)整襯底電阻率需要時間，所以，與800V的雙向晶閘管（例如，T2550-8）相比，1200V雙向晶閘管的VFP電壓更高，所以必須精心挑選晶閘管對耐受電壓的要求，因為電壓裕量過大將產(chǎn)生更高的導(dǎo)通峰壓。

　　雖然脈沖電壓器峰壓測量值高于光耦雙向晶閘管驅(qū)動電路的峰壓測量值，但是EMI電磁干擾降低了，因為峰壓現(xiàn)象每周期只出現(xiàn)一次，即混合繼電器每關(guān)斷一次才出現(xiàn)一次，且持續(xù)時間僅幾微秒，所以，即使尺寸大，釹鐵芯昂貴，成本高，脈沖變壓器仍然是驅(qū)動解決方案。