電信設備電源供應器正大舉采用表面黏著型(SMD)電源晶片。電信設備電源供應器制造商為提高產品功率密度，近來已大量改用SMD封裝形式的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)與電源控制晶片，因而激勵相關元件銷售增溫。

　　臺灣英飛凌(Infineon)工業(yè)與多元電子事業(yè)處資深行銷經理魏致祺表示，電信設備商為在不增加設備體積的前提下加入更多功能，往往會縮減電源供應器所占用的電路板空間，使得相關產品須朝向更高功率密度發(fā)展，以在更小的尺寸下，達到相同或更高的功率輸出效能。

　　因應此一設計趨勢，電信設備電源供應器所使用的功率元件與電源晶片亦加速邁向微型化發(fā)展，并由原本插件式封裝轉變?yōu)镾MD封裝。臺灣英飛凌電源管理及多元電子事業(yè)處工程師林志宏指出，插件式元件不僅體積較大，且須以人工裝配，易發(fā)生損壞與靜電干擾等問題；而SMD元件則具備薄形化、雜散電容/電感較小及可采用機器打件等優(yōu)勢，能滿足高功率密度設計需求，遂日益受到電信設備電源供應器業(yè)者青睞。

　　魏致祺提到，現今電信設備電源供應器的次級側(SecondarySide)與系統(tǒng)機板上的電源設計幾乎都已改用SMD元件；而初級側(PrimarySide)由于效率相對還未理想，囿于散熱考量，多半仍使用插件式電源晶片。

　　除透過SMD封裝方式縮小元件體積，同時滿足電源供應器功率密度提高和節(jié)省占位空間的要求外，電源晶片業(yè)者亦戮力降低MOSFET導通阻抗(RDS(On))。林志宏解釋，相較于電源控制晶片僅負責開關的角色，MOSFET對功率密度的提升具有更關鍵的影響力，因此阻抗愈低愈好。不過，導通阻抗越低會導致周邊電容值上升，造成切換損失增加，因此如何在阻抗和電容值間取得平衡點，便成為設計者權衡的重點。

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