3D封裝主要有三種類型，即埋置型3D封裝，當前主要有三種途徑：一種是在各類基板內(nèi)或多層布線介質(zhì)層中“埋置”R、C或IC等功率電感元器件，上層再貼裝SMC和SMD來實現(xiàn)立體封裝，這種結(jié)構(gòu)稱為埋置型3D封裝;第二種是在硅圓片規(guī)模集成（WSl）后的有源基板上再實行多層布線，上層再貼裝SMC和SMD，從而構(gòu)成立體封裝，這種結(jié)構(gòu)稱為有源基板型3D封裝;第三種是在2D封裝的基礎(chǔ)上，把多個裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進行疊層互連，構(gòu)成立體封裝，這種結(jié)構(gòu)稱作疊層型3D封裝。在這些3D封裝類型中，發(fā)展快的是疊層裸芯片封裝。原因有兩個。一是巨大的手機和其它消費類產(chǎn)品市場的驅(qū)動，要求在增加功能的同時減薄封裝厚度。二是它所用的工藝基本上與傳統(tǒng)的工藝相容，經(jīng)過改進很快能批量生產(chǎn)并投入市場。據(jù)Prismarks預測，世界的手機銷售量將從2001年的393M增加到2006年的785M～1140M。年增長率達到15～24%。因此在這個基礎(chǔ)上估計，疊層裸芯片封裝從目前到2006年將以50～60%的速度增長。圖6示出了疊層裸芯片封裝的外形。它的目前水平和發(fā)展趨勢示于表3。

　　疊層裸芯片封裝有兩種疊層方式，一種是金字塔式，從底層向上裸芯片尺寸越來越小;另一種是懸梁式，疊層的芯片尺寸一樣大。應(yīng)用于手機的初期，疊層裸芯片封裝主要是把FlashMemory和SRAM疊在一起，目前已能把FlashMemory、DRAM、邏輯IC和模擬IC等疊在一起。疊層裸芯片封裝所涉及的關(guān)鍵技術(shù)有如下幾個。①圓片減薄技術(shù)，由于手機等產(chǎn)品要求封裝厚度越來越薄，目前封裝厚度要求在1.2mm以下甚至1.0mm。而疊層芯片數(shù)又不斷增加，因此要求芯片必須減薄。圓片減薄的方法有機械研磨、化學刻蝕或ADP（Atmosphere DownstreamPlasma）。機械研磨減薄一般在150μm左右。而用等離子刻蝕方法可達到100μm，對于75-50μm的減薄正在研發(fā)中;②低弧度鍵合，因為芯片厚度小于150μm，所以鍵合弧度高必須小于150μm。目前采用25μm金絲的正常鍵合弧高為125μm，而用反向引線鍵合優(yōu)化工藝后可以達到75μm以下的弧高。與此同時，反向引線鍵合技術(shù)要增加一個打彎工藝以保證不同鍵合層的間隙;③懸梁上的引線鍵合技術(shù)，懸梁越長，鍵合時芯片變形越大，必須優(yōu)化設(shè)計和工藝;④圓片凸點制作技術(shù);⑤鍵合引線無擺動（NOSWEEP）模塑技術(shù)。由于鍵合引線密度更高，長度更長，形狀更復雜，增加了短路的可能性。使用低粘度的模塑料和降低模塑料的轉(zhuǎn)移速度有助于減小鍵合引線的擺動。目前已發(fā)明了鍵合引線無擺動（NOSWEEP）模塑技術(shù)。