EL SEGUNDO, Calif. -- (BUSINESS WIRE) -- (美國(guó)商業(yè)資訊)--硅基增強(qiáng)型功率氮化鎵（(eGaN®)場(chǎng)效應(yīng)晶體管之全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司將于兩個(gè)業(yè)界研討會(huì)以應(yīng)用為主題發(fā)表演講。

　　于中國(guó)上海舉行的第三屆世界無(wú)線供電行業(yè)峰會(huì)

　　宜普公司的專家將展示由于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN®FET）具備優(yōu)越特性如具有低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，因此作為高度諧振并符合Rezence（A4WP）標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，它可以提高該應(yīng)用的效率。我們對(duì)采用MOSFET及氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)換器在峰值功率、負(fù)載變化及負(fù)載調(diào)制性能等各方面進(jìn)行比較。

　　基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN® FET）并采用全新零電壓開(kāi)關(guān)D類放大器拓?fù)涞臒o(wú)線電源傳送應(yīng)用

　　講者： 宜普電源轉(zhuǎn)換公司應(yīng)用工程副總裁Johan Strydom博士

　　日期／時(shí)間： 2014年8月26日星期二下午4時(shí)30分至5時(shí)10分

　　于中國(guó)深圳舉行的第十九屆IIC China功率管理及功率半導(dǎo)體研討會(huì)

　　新一代氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管為業(yè)界提高電源轉(zhuǎn)換的性能基準(zhǔn)。由于全新第四代氮化鎵器件系列在主要開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)方面取得重大增益，因此在性能上可進(jìn)一步拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。我們將展示的應(yīng)用范例包括取得93.5%效率的12 V轉(zhuǎn)至1.2 V、50 A的負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器， 以及取得超過(guò)98% 效率的48 V轉(zhuǎn)至12 V、30 A的非隔離型直流-直流中間總線轉(zhuǎn)換器。

　　公司網(wǎng)站：聯(lián)系電話梁生

　　功率電感,繞線電感,一體成型大電流電感,插件電感,電感線圈,共模電感