在techno-frontier 2013上，vishay siliconix將展示在4.5v柵極驅(qū)動(dòng)下大導(dǎo)通電阻低至0.00135ω的trenchfet® gen iv mosfet;powerpak® so-8l和8x8l封裝的50w前大燈led驅(qū)動(dòng);優(yōu)化了熱性能和電性能的powerpair®器件。重點(diǎn)推出功率ic包括采用3mm x 3mm dfn10封裝的28v可編程、受保護(hù)的智能負(fù)載開關(guān)，5mm x 5mm封裝的高密度60a功率級(jí);3 mm x 3 mm qfn-16封裝的高效16v microbuck®穩(wěn)壓器。

　　vishay semiconductors將展示各種二極管，包括采用smpd封裝的45v～120v tmbs® trench mos勢(shì)壘肖特基整流器;用于電動(dòng)汽車、ups和太陽能逆變器的第二代 650v fred pt® ultrafast二極管;fred pt 超快恢復(fù)整流器。另外，vishay semiconductors將在顯著位置展示surflight?高功率紅外表面發(fā)射器等光電子產(chǎn)品，帶有數(shù)字輸出的全集成接近傳感器，以及1ma和5ma輸入電流的光耦。

　　vishay的無源元件包括該公司各種各樣的新電容器、電阻和電感器。重點(diǎn)展示的電阻包括具有高功率密度和可在+275℃高溫惡劣環(huán)境下使用的vishay dale power l strip®電阻，以及用于功率計(jì)和電池管理應(yīng)用的高電流power l strip分流電阻。

　　特色電容器包括具有業(yè)內(nèi)小外形尺寸的vishay sprague micro tan®汽車級(jí)固鉭片式電容器;vishay esta功率電子電容器;vishay vitramon通過安全認(rèn)證的多層陶瓷片式電容器(mlcc)。vishay dale將展出面向汽車應(yīng)用的薄型、高電流ihlp®器件，用于桌面電腦和服務(wù)器的高溫通孔電感器等電感器產(chǎn)品。

　　另外，vishay將在techno-frontier 2013(7月17日至19日)的電源系統(tǒng)專項(xiàng)展覽power system japan的1d-207展位進(jìn)行兩項(xiàng)演示。vishay siliconix將演示用600v和650v的e系列功率mosfet來提高效率。vishay semiconductors將演示一個(gè)采用低正向電壓和快速開啟時(shí)間的tmbs整流器，以及具有高阻抗并能減小信號(hào)損失的低cj tvs器件的系統(tǒng)。

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