日前，Vishay Intertechnology， Inc． 宣布，推出新款6．15 mm x 5．15 mm PowerPAK SO－8單體封裝的－－－SiR680ADP，它是80 V TrenchFET 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉換拓撲結構和開關電路的效率，從而節(jié)省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW＊nC，達到同類產(chǎn)品水平。

　　日前發(fā)布的器件10 V條件下導通電阻典型值降至2．35 mΩ，超低柵極電荷僅為55 nC，COSS為614 pF。這些改進后的技術規(guī)格，經(jīng)過調校限度降低開關、通道導通和二極管導通功耗，從而提高能效。這款MOSFET的導通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)（FOM）比緊隨其后的競爭產(chǎn)品低12．2 ％，比前代器件低22．5 ％，使其成為典型48 V輸入，12 V輸出DC／DC轉換器高效的解決方案。

　　SiR680ADP可作為模塊用于各種DC／DC和AC／DC轉換應用，如同步整流、原邊開關、降壓－升壓轉換器，諧振回路開關轉換器以及系統(tǒng)OR－ing功能，適用于電信和數(shù)據(jù)中心服務器電源、太陽能微型逆變器、電動工具和工業(yè)設備電機驅動控制、電池管理模塊的電池切換。

　　新款MOSFET經(jīng)過100 ％ RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。