電磁干擾EMI是令眾多電源設計者頭疼的問題，很多新手在邁過設計方面的難題之后通常都會在EMI上碰壁。設計本身存在缺陷可能導致電磁干擾過大，但電源器件選擇不當同樣會造成EMI飆升。本文就將為大家講解電源作為輻射源是如何產生EMI的。

　　圖1 12V輸入降壓型開關穩(wěn)壓器中的典型開關節(jié)點電壓尖峰和振鈴

　　在每個開關周期里，存儲在寄生電感器中的能量將和存儲于寄生電容器中的能量發(fā)生共振。當能量釋放時將在開關節(jié)點(VSW)上產生一個很大的電壓尖峰，其大可達輸入電壓的兩倍，如圖1所示。當MOSFET的電流能力增加時，存儲在寄生電容器中的能量往往也會增加。另外，開關動作還使輸入電流以及流過頂端MOSFET(ITOP)和底端MOSFET(IBOT)的電流產生脈動。此脈沖電流將在輸入電源電纜和PCB板印制線(其充當了發(fā)射天線)上產生電波，從而產生輻射發(fā)射和傳導發(fā)射。

　　圖2 在96W輸出功率下LTM4613(DC1743)的EN55022標準相符性演示

　　當輸人電壓和輸出電流增加時，每個周期中功率電感器改變極性時開關節(jié)點上的電壓尖峰也將增大。而且，輸出電流越高，電路回路內部產生的脈沖電流越大。因此，輻射發(fā)射在很大程度上取決于被測試器件所處的電氣操作條件。一般來說，輻射噪聲將隨著輸人電壓和輸出功率(特別是輸出電流)的提高而增加。由于作為低噪聲替代方案的線性穩(wěn)壓器效率過低，而且在高電壓和高功率級別下耗散過多的熱量，因此設計工程師不得不克服因采用先進的開關電源解決方案而引發(fā)的難題，其中的EMI抑制變得頗為棘手。

　　由此可見，從輻射源的角度來說EMI存在每個開關周期當中。想要完全對其進行抑制還是比較棘手的問題，所以對EMI進行抑制的話題不能單單從一個方面來入手，而是需要多方面的配合。希望大家在閱讀過本文之后能夠有所收獲。