三菱電機株式會社將于11月1日發(fā)售Ka波段※1衛(wèi)星通信地面站功率放大器的高功率高頻率晶體管新產(chǎn)品，即實現(xiàn)了高達8W的輸出功率和兼具功率放大信號低失真特性的“衛(wèi)星通信地面站Ka波段GaN※2HEMT※3MMIC※4”。該產(chǎn)品具有更高輸出和更低失真特性，將有助于衛(wèi)星通信地面站的小型化。 ※1 頻率26GHz～40GHz的微波

　　※2 Gallium Nitride：氮化鎵

　　※3 High Electron Mobility Transistor：高遷移率晶體管

　　※4 Monolithic Microwave Integrated Circuit：單片微波集成電路

　　衛(wèi)星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC“MGFG5H3001”

　　新產(chǎn)品的特點

　　1.良好的輸出功率，有助于衛(wèi)星通信地面站的小型化

　　?新產(chǎn)品采用了具有良好高輸出功率適應性的GaN設(shè)備，并進一步優(yōu)化了晶體管結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)了高達8W的輸出功率。

　　?在一個GaN的芯片上配備多個放大用晶體管、匹配電路、線性化器※5

　　?減少了功率放大器末級的零部件構(gòu)成數(shù)量，將有效促進衛(wèi)星通信地面站的小型化。

　　※5 用于修復功率放大器信號失真的器件

　　2.通過的低失真特性，提高信號質(zhì)量，促進小型化

　　?將以往一直安裝在外部的線性化器轉(zhuǎn)為內(nèi)置，從而實現(xiàn)了良好的功率放大信號的低失真特性。

　　?通過提高通信設(shè)備的信號質(zhì)量,以及減少失真補償電路的數(shù)量，將有效促進地面站的小型化。

　　3.擴充產(chǎn)品陣容，以適用于多樣化的衛(wèi)星通信地面站

　　?在Ku波段※6的基礎(chǔ)上，增加Ka波段產(chǎn)品，以更加充實的產(chǎn)品陣容滿足衛(wèi)星通信地面站的多樣化需求。

　　※6 頻率12GHz～18GHz的微波

　　發(fā)售概要